Регистрация Вспомнить пароль


Подложки и носители для GaAs, GaN, SiC и InP

14.09.2017

Компания Plan Optik AG, ведущий производитель стеклянных и кварцевых полупроводниковых пластин, сообщает о доступности подложек и многоразовых носителей для обработки тонких полупроводниковых пластин с использованием арсенида галлия (GaAs), нитрида галлия (GaN), карбида кремния (SiC) и фосфата индия (InP).

У пластин из стекла коэффициент теплового расширения (КТР) адаптирован к вышеуказанным материалам. Диапазон КТР — от 3,3 до 7,2 мкм/м*К. Благодаря этому они подходят для замены, например, сапфировых пластин, обработки пластин GaAs при сохранении аналогичной эффективности, но по более выгодной цене.

Plan Optik имеет богатый многолетний опыт производства носителей для обработки тонких полупроводниковых пластин. Сочетание свойств материала с обширным опытом Plan Optik в области создания чрезвычайно малого разброса по технологическим допускам (допуск на толщину до ±2 микрон и полный разброс по толщине до 1 микрона) позволяет применять стеклянные носители и подложки в самых различных областях.

Полупроводниковые пластины и носители из данных материалов доступны с толщиной от 200 до 900 микрон, а также в определённых случаях до 3000 мкм. Размеры подложек и носителей составляют от 1 дюйма до 300 мм.

В зависимости от потребностей заказчиков пластины можно дополнительно перфорировать (химического разделения) с использованием новейших технологий формирования рельефа от Plan Optik. При необходимости можно создать более 100 000 сквозных отверстий одинакового размера, что обеспечивает плавное и безопасное разделение.

Носители для обработки тонких полупроводниковых пластин можно использовать до 50 раз или оставить в готовом изделии, так как нанесенные материалы устойчивы практически ко всем химическим веществам, используемым в обработке полупроводников и производстве готовых изделий.

Источник: http://www.planoptik.com/en/news/news_2017_08_22.html