Описание
Резисты для электронной литографии традиционно применяются в производстве фотошаблонов, а также в прототипировании микро- и наноэлектронных устройств. Электронные резисты обычно позволяют получать структуры размерами до десятков нанометров.
Основные характеристики
Резист |
Толщина плёнки, мкм |
Другие методы экспонирования |
Проявитель |
Сниматель |
Позитивные резисты |
||||
|
- |
AR |
AR |
|
|
- |
AR |
AR |
|
|
- |
AR |
AR |
|
|
рентген, ГУФ |
AR |
AR |
|
0,6 |
i-, g-линии |
AR |
AR |
|
|
|
NANO PMMA Developer |
AR |
|
|
i-, g-. h-линии, рентген, ГУФ |
0.26N MIF, 0.24N MIF, MIB |
||
Негативные резисты |
||||
0,4; 0,1 |
- |
AR |
AR |
|
0,4; 0,1 |
- |
AR |
AR |
|
0,4; 0,1 |
- |
AR |
AR |
|
1,4; 0,25 |
- |
AR |
AR |
|
1,5 — 20 |
|
AZ 826mif |
AZ® 100 Remover |
|
0,5 |
ГУФ |
ma-D 333, ma-D 532, MIF 726 |
ma-R 404 |
|
0,5 |
- |
0.26 N TMAH |
Условия поставки
Резисты для электронно-лучевой литографии поставляются под заказ
Упаковка
Фоторезисты упакованы в бутылки и банки различного объёма
Хранение и транспортировка
Срок годности и условия хранения резистов для электронной литографии указаны в техническом описании на данные продукты. Заморозка резистов недопустима.