Сниматели резистов

После проведения фотолитографии и травления материала по маске фоторезиста, полупроводниковую пластину необходимо подготовить к следующей фотолитографии, удалив слой проявленного фоторезиста. При этом очень важно, чтобы с одной стороны, он был удалён без остатка, и, с другой стороны, чтобы при удалении не был повреждён топологический рисунок, уже сформированный на поверхности подложки. Для этих целей в микроэлектронике применяют различные органические и неорганические растворители. При этом важна их чистота, а также инертность к топологическим слоям, уже сформированным на пластине. Группа компаний Остек поставляет широкий спектр материалов для снятия ФР, состав и свойства которых идеально подходят для применения в микроэлектронике.