Назад
Всегда рады ответить на все ваши вопросы
materials@ostec-group.ru

Описание

Микросхемы на основе арсенида галлия широко применяются в производстве мобильных телефонов, устройств спутниковой связи, микроволновых приборов и некоторых радарных систем. Транзисторы из арсенида галлия работают на высоких частотах, что становится возможным благодаря особым свойствам полупроводникового материала.

Условия поставки

Пластины GaAs поставляются под заказ согласно спецификации заказчика.

Упаковка

Пластины GaAs упакованы в стандартные кассеты на 25 шт, либо в индивидуальной упаковке

Хранение и транспортировка

Пластины epi-ready (подготовленные для эпитаксии) сохраняют свойства поверхности в оригинальной упаковке в течении 6 месяцев с момента производства.

Характеристики

Параметр

Единицы измерения

Значение

Метод выращивания

-

VGF, LEC

Диаметры пластин

мм

50.8, 76, 100, 125*, 150, 200

Толщины

мкм

250, 350, 400, 450, 625, 675

Тип проводимости/легирующая примесь

-

n / Si, Te, C

p / Zn

n / нелегированный

Удельное сопротивление

Ом×см

Полуизолирующий

>1×105

Полупроводящий

>1×10-3

Концентрация носителей

см-3

p

1×1017 ÷ 5×1019

n

1×1016 ÷ 4×1018

Ориентация

(100), (110), (111)

Плотность дислокаций (EPD)

см-2

Минимальная

<100 (VGF, полупроводящий)

Средняя

1000-10000

Максимальная

от 10000 до 10000

Срезы, выемки

-

По стандартам SEMI или EJ, либо по спецификации заказчика

TTV

мкм

3 −10

Подвижность носителей

см2В-1с-1

Полуизолирующий

2000<µ<6000, >6000*

Полупроводящий

n: 1-2,5×103, p: 50-120

Лицевая сторона

-

Зеркальная, полированная

Обработка обратной стороны

-

Шлифованная, шлифовано-травленная, полированная

Отклонение направления среза от заданной кристаллографической ориентации

град.

±0,5

Отклонение поверхности от заданной кристаллографической ориентации

град.

±0,1

Остались вопросы?
Задайте их, и мы ответим в ближайшее время
Задать вопрос

Вы смотрели