Проведение операции фотолитографии невозможно без надлежащей адгезии фоторезиста к материалу подложки. Обычно фоторезисты имеют низкую адгезию к таким распространённым в микроэлектронике слоям как Si, SiO2, Si3N4, GaAs и другим. Для улучшения адгезии используется специальное химическое вещество — активатор адгезии.
Для достижения воспроизводимого размера топологического рисунка при очень высоком разрешении фотолитографии (<350 нм) возникает необходимость использования специальных антиотражающих покрытий, которые уменьшают отклонение фактических размеров топологии, связанное с вариациями толщины фоторезиста и вызываемое интерференцией света.
Материал
Применение
Особенности
Верхнее антиотражающее покрытие
650 Å при 2000 об/мин (для
i-линии) Нижнее антиотражающее покрытие
910 — 1970 Å при 3000 об/мин (для
i-линии) Dow AR Fast Etch Organic BARC
Нижнее антиотражающее покрытие
Имеет скорость травления на 30% выше, чем у фоторезистов
Microresist Technology OrmoPrime
Активатор адгезии
Активатор адгезии для гибридных полимеров
Активатор адгезии
Активатор адгезии для позитивных и негативных резистов
Microresist Technology mr-APS1
Активатор адгезии
Активатор адгезии УФ-отверждаемых резистов для НИЛ
ГМДС
Активатор адгезии
Активатор адгезии для позитивных и негативных резистов
Активатор адгезии
Жидкий активатор адгезии на основе соединений титана
Активаторы адгезии и антиотражающие покрытия поставляются под заказ
Активаторы адгезии и антиотражающие покрытия упакованы в бутылки и банки различного объёма.
Срок годности и условия хранения активаторов адгезии и антиотражающих покрытий указаны в техническом описании на данные продукты.