Регистрация Вспомнить пароль

Эпитаксиальные пластины кремния

Эпитаксиальные пластины кремния применяются в производстве высокопроизводительных микросхем, радиационно-стойкой электроники, дискретных приборов на контактах металл-полупроводник. Основным преимуществом данных пластин по сравнению с пластинами монокристаллического кремния является наличие p-n перехода между приборным слоем и основной частью подложки — это позволяет уменьшить токи утечки, паразитные явления между соседними элементами, а значит снизить электрическую мощность, потребляемую конечными изделиями.

Основные характеристики

Параметр

Значение

Метод выращивания

CZ или FZ

Диаметр, мм

100, 125, 150

Легирующая примесь

Sb, As, P (n-тип); B (p-тип)

Удельное объёмное сопротивление, Ом-см

>0,007

Кристаллографическая ориентация

<100> или <111>

Толщина несущего слоя, мкм

350 — 700

Отклонение толщины несущего слоя от номинала по пластине, мкм

± 5 мкм

Толщина слоя скрытого диэлектрика, мкм

0,2 — 4,0

Толщина приборного слоя, мкм

2 — 200

Отклонение толщины приборного слоя от номинала по пластине, мкм

± 0,5 или ±1

Обратная сторона пластины

Шлифовано-травленная или полированная

Условия поставки

Эпитаксиальные пластины кремния могут иметься на складе, но в большинстве случаев они изготавливаются и поставляются под заказ согласно спецификации заказчика.

Упаковка

Эпитаксиальные пластины кремния упакованы в стандартные контейнеры по 25 пластин. Пластины с малой толщиной могут быть упакованы в индивидуальные контейнеры. Все контейнеры упаковываются производителями в чистых помещениях класса не хуже ISO 5 и помещаются в металлизированный пакет, обеспечивающий защиту от влаги и вредных газов, содержащихся в атмосфере.

Хранение и транспортировка

Срок годности пластин неограничен при условии хранения в инертной среде. Пластины хранятся в специальных шкафах, наполненных азотом и при пониженной влажности воздуха. Транспортировка пластин осуществляется согласно правилам перевозки хрупких грузов.