Регистрация Вспомнить пароль

Фотошаблонные заготовки (ФШЗ)

Основным процессом кристального производства является фотолитография. Основным высокопроизводительным процессом для создания рисунка на пластине в слое фоторезиста является проекционная либо контактная литография. В обоих случаях используется фотошаблон, на котором содержится оригинальное либо увеличенное изображение топологии, которую необходимо сформировать на поверхности пластины.

Сами фотошаблоны изготавливаются на высокотехнологичном и дорогостоящем оборудовании с помощью методов безмасочной литографии с использованием лазеров либо электронного луча. Фотошаблоны, используемые для производства самых современных высокопроизводительных микросхем, являются одной из самых дорогих составляющих производства, поскольку при их изготовлении используются сложные методы коррекции нежелательных эффектов, возникающих при сближении топологической нормы и длины волны используемого для экспонирования излучения.

От качества заготовок, используемых при изготовлении фотошаблонов, напрямую зависят эксплуатационные характеристики микросхем, их цена и скорость изготовления.

Группа компаний Остек поставляет фотошаблонные заготовки (ФШЗ) для микронной литографии, которые изготавливаются из высококачественного стекла, а также кварцевые заготовки, которые состоят из высокочистого синтетического кварца.

Основные товары:

Условия поставки

Фотошаблонные заготовки (ФШЗ) поставляются под заказ согласно предварительно согласованной спецификации заказчика. Оснастка для фотошаблонов поставляется под заказ.

Упаковка

Фотошаблонные заготовки (ФШЗ) упакованы в стандартные кассеты. Количество заготовок в кассете зависит от их размера и типа. Кассеты и оснастка для фотошаблонов упакованы в пластиковые пакеты в помещениях с классом чистоты ISO 5 или лучше.

Хранение и транспортировка

Срок годности фотошаблонных заготовок (ФШЗ) составляет от 6 месяцев до 1 года и зависит от типа используемого резиста на их поверхности. Фотошаблонные заготовки (ФШЗ) рекомендуется хранить при температуре 10-25°С в сухом месте без доступа света и вдали от источников тепла и ионизирующего излучения.