Регистрация Вспомнить пароль

Планарные источники диффузии

Одним из методов формирования областей с заданным типом проводимости в полупроводниковом производстве является диффузия. Источниками веществ (бора или фосфора, например) при диффузии могут являться различные жидкости либо газы. Также существуют твердотельные источники диффузантов. Их преимуществом по сравнению с прочими источниками является однородность легирования и безопасность. Такие источники наилучшим образом подходят для различных научно — исследовательских организаций и институтов. Наша компания предлагает планарные источники для диффузии от ведущих мировых производителей (Saint Gobain и Techneglas).

Основные характеристики

Легирующая примесь

Тип источника

Рабочая температура, °C

Толщина слоя диффузанта, Å

Слоевое сопротивление (Ом/□)

Диапазон доз, Атомов/см2

Фосфор

PH-900

≤ 900

100-650

15-150

1,4×1014-3,9×1015

Фосфор

PH-950

≤ 950

125-1200

5-60

3,2×1014-2,4×1015

Фосфор

PH-1000N

≤ 1000

175-1200

3-25

8,4×1014-1,1×1016

Фосфор

PH-1025

≤1025

100-1250

3-20

5,3×1015-1,4×1016

Фосфор

TP-470

950 — 1150

-

<1-7

-

Фосфор

TP-250

800-950

-

5-100

-

Бор

BN-975

775 — 1000

300-2000

2000-20

1,3×1014-3,6×1015

Бор

BN-1050

975 — 1100

400-1000

20-5

3,6×1015-1,6×1016

Бор

BN-1100

1000 — 1100

200-800

40-5

2,3×1015-1,6×1016

Бор

BN-1250

1050 — 1200

200-1000

40-1,5

2,3×1015-9,0×1016

Бор

BN-HT

1000 — 1200

200-1000

20-1

2,3×1015-4,9×1016

Бор

GS-126

<1000

-

>15

-

Бор

GS-139

975-1075

-

35-5

-

Бор

GS-183

1000-1100

-

20-5

-

Бор

GS-245

1050-1125

-

10-3

-

Бор

GS-278

1100-1175

-

5-1

-

Условия поставки

Планарные источники диффузии поставляются под заказ.

Упаковка

Планарные источники диффузии упакованы в герметичные пакеты, заполненные инертным газом.

Хранение и транспортировка

Срок годности планарных источников диффузии неограничен при условии хранения в инертной атмосфере.