Регистрация Вспомнить пароль

Пластины КНИ

Пластины КНИ применяются в производстве высокопроизводительных микросхем, радиационно-стойкой электроники, МЭМС и МОЭМС. Сложность изготовления КНИ пластин и высокие требования к качеству конечного изделия заставляют производителей ответственно подходить к выбору поставщика. Компания Остек поставляет широкий спектр КНИ пластин в соответствие с требованиями заказчика. Возможна поставка пластин КНИ с канавками, заполненными диэлектриком, пластин с несколькими слоями изолятора, а также с канавками в несущем слое (C-SOI — для производства МЭМС, МОЭМС) согласно топологии заказчика.

Основные характеристики

Параметр

Значение

Метод выращивания

CZ или FZ

Диаметр, мм

100, 125, 150

Легирующая примесь

Sb, As, P (n-тип); B (p-тип)

Удельное объёмное сопротивление, Ом-см

> 0,007

Кристаллографическая ориентация

<100> или <111>

Толщина несущего слоя, мкм

350 — 700

Отклонение толщины несущего слоя от номинала по пластине, мкм

±5 мкм

Скрытый диэлектрик

Термический SiO2

Толщина слоя скрытого диэлектрика, мкм

0,2 — 4,0

Толщина приборного слоя, мкм

2 — 200

Отклонение толщины приборного слоя от номинала по пластине, мкм

±0,5 или ±1

Обратная сторона пластины

Шлифовано-травленная или полированная

Условия поставки

Пластины КНИ могут иметься на складе, но в большинстве случаев они изготавливаются и поставляются под заказ согласно спецификации заказчика.

Упаковка

Пластины КНИ упакованы в стандартные контейнеры по 25 пластин. Пластины с малой толщиной могут быть упакованы в индивидуальные контейнеры. Все контейнеры упаковываются производителями в чистых помещениях класса не хуже ISO 5 и помещаются в металлизированный пакет, обеспечивающий защиту от влаги и вредных газов, содержащихся в атмосфере.

Хранение и транспортировка

Срок годности пластин неограничен при условии хранения в инертной среде. Пластины хранятся в специальных шкафах, наполненных азотом и при пониженной влажности воздуха. Транспортировка пластин осуществляется согласно правилам перевозки хрупких грузов.