Фоторезисты для гальванического осаждения

Гальваническое осаждение различных металлов (Cu, Au, Ag, и др.) широко применяется для 3D интеграции, а также в производстве МЭМС. Резисты, используемые для формирования топологии в этом процессе, должны обладать хорошей адгезией к слоям, на которых ведётся осаждение, а также высокой стойкостью к агрессивным растворам, в которых производится осаждение. Это позволяет создавать бездефектные металлические структуры с ровными перпендикулярными стенками.

Основные характеристики

Резист	Толщина, мкм	Длина волны экспонирования	Проявитель	Сниматель
Позитивные фоторезисты
Allresist AR-P 3200	2-10	i-, g-линии; broadband	AR 300-26, AR 300-35	AR 300-76, AR 600-71
AZ 111 XFS	1	310 — 420 нм	AZ 303 Developer	AZ 100 Remover
Microresist Technology ma-P 1200	0,5-8	i,h,g линии	воднощелочные растворы	Cтанд. сниматели
Dow MEGAPOSIT SPR 220	1,2-7	i-, g-линии; broadband	MF-20A, MF-CD-26	Cтанд. сниматели
AZ 10XT	4 - 14	320 - 440 нм	Растворы TMAH, KOH и т.п.	AZ Kwik Strip и др.
AZ 12XT-20PL	3 - 22	320 - 440 нм	Растворы TMAH, KOH и т.п.	AZ Kwik Strip и др.
AZ 40XT-11D	30 - 65	320 - 440 нм	Растворы TMAH, KOH и т.п.	AZ 400T
Негативные фоторезисты
Allresist AR-N 4400 (CAR44)	5-10	i-, g-линии; broadband	AR 300-47	AR 600-71, AR 600-70
AZ 15nXT	5-20	i-линия	AZ 326/726/826 MIF	TechniStrip NI555
AZ 125 nXT	20-150	i-линия	AZ 326/726/826 MIF	TechniStrip NI555
Microchem KMPR 1000	8-100	350-400 нм	TMAH, SU-8 developer и др.	Remover PG

Условия поставки

Резисты для гальванического осаждения поставляются под заказ

Упаковка

Фоторезисты упакованы в бутылки и банки различного объёма

Хранение и транспортировка

Срок годности и условия хранения резистов для гальванического осаждения указаны в техническом описании на данные продукты. Заморозка резистов недопустима.