Гальваническое осаждение различных металлов (Cu, Au, Ag, и др.) широко применяется для 3D интеграции, а также в производстве МЭМС. Резисты, используемые для формирования топологии в этом процессе, должны обладать хорошей адгезией к слоям, на которых ведётся осаждение, а также высокой стойкостью к агрессивным растворам, в которых производится осаждение. Это позволяет создавать бездефектные металлические структуры с ровными перпендикулярными стенками.
Резист
Толщина, мкм
Длина волны экспонирования
Проявитель
Сниматель
Позитивные фоторезисты
2-10 i-, g-линии; broadband
AR
300-26, AR300-35 AR
300-76, AR600-71 1
310 — 420 нм
AZ 303 Developer
AZ 100 Remover
0,5-8 i,h,g линии
воднощелочные растворы
Cтанд. сниматели
1,2-7 i-, g-линии; broadband
MF-20A, MF-CD-26
Cтанд. сниматели
AZ 10XT 4 - 14 320 - 440 нм Растворы TMAH, KOH и т.п. AZ Kwik Strip
и др.
AZ 12XT-20PL 3 - 22 320 - 440 нм Растворы TMAH, KOH и т.п. AZ Kwik Strip
и др.
AZ 40XT-11D 30 - 65 320 - 440 нм Растворы TMAH, KOH и т.п. AZ 400T Негативные фоторезисты
5-10 i-, g-линии; broadband
AR
300-47 AR
600-71, AR600-70
5-20
i-линия AZ 326/726/826 MIF
TechniStrip NI555
20-150
i-линия AZ 326/726/826 MIF
TechniStrip NI555
8-100
350-400 нм TMAH, SU-8 developer и др.
Remover PG
Резисты для гальванического осаждения поставляются под заказ
Фоторезисты упакованы в бутылки и банки различного объёма
Срок годности и условия хранения резистов для гальванического осаждения указаны в техническом описании на данные продукты. Заморозка резистов недопустима.