Регистрация Вспомнить пароль

Фоторезисты для гальванического осаждения

Гальваническое осаждение различных металлов (Cu, Au, Ag, и др.) широко применяется для 3D интеграции, а также в производстве МЭМС. Резисты, используемые для формирования топологии в этом процессе, должны обладать хорошей адгезией к слоям, на которых ведётся осаждение, а также высокой стойкостью к агрессивным растворам, в которых производится осаждение. Это позволяет создавать бездефектные металлические структуры с ровными перпендикулярными стенками.

Основные характеристики

Резист

Толщина, мкм

Длина волны экспонирования

Проявитель

Сниматель

Позитивные фоторезисты

Allresist AR-P 3200

2-10

i-, g-линии; broadband

AR 300-26, AR 300-35

AR 300-76, AR 600-71

AZ 111 XFS

1

310 — 420 нм

AZ 303 Developer

AZ 100 Remover

Microresist Technology ma-P 1200

0,5-8

i,h,g линии

воднощелочные растворы

Cтанд. сниматели

Dow MEGAPOSIT SPR 220

1,2-7

i-, g-линии; broadband

MF-20A, MF-CD-26

Cтанд. сниматели

AZ 10XT 4 - 14 320 - 440 нм Растворы TMAH, KOH и т.п. AZ Kwik Strip
и др.
AZ 12XT-20PL 3 - 22 320 - 440 нм Растворы TMAH, KOH и т.п. AZ Kwik Strip
и др.
AZ 40XT-11D 30 - 65 320 - 440 нм Растворы TMAH, KOH и т.п. AZ 400T

Негативные фоторезисты

Allresist AR-N 4400 (CAR44)

5-10

i-, g-линии; broadband

AR 300-47

AR 600-71, AR 600-70

AZ 15nXT

5-20

i-линия

AZ 326/726/826 MIF

TechniStrip NI555

AZ 125 nXT

20-150

i-линия

AZ 326/726/826 MIF

TechniStrip NI555

Microchem KMPR 1000

8-100

350-400 нм

TMAH, SU-8 developer и др.

Remover PG

Условия поставки

Резисты для гальванического осаждения поставляются под заказ

Упаковка

Фоторезисты упакованы в бутылки и банки различного объёма

Хранение и транспортировка

Срок годности и условия хранения резистов для гальванического осаждения указаны в техническом описании на данные продукты. Заморозка резистов недопустима.