Регистрация Вспомнить пароль

Сниматели фоторезистов

После проведения фотолитографии и травления материала по маске фоторезиста, полупроводниковую пластину необходимо подготовить к следующей фотолитографии, удалив слой проявленного фоторезиста. При этом очень важно, чтобы с одной стороны, он был удалён без остатка, и, с другой стороны, чтобы при удалении не был повреждён топологический рисунок, уже сформированный на поверхности подложки. Для этих целей в микроэлектронике применяют различные органические и неорганические растворители. При этом важна их чистота, а также инертность к топологическим слоям, уже сформированным на пластине. Группа компаний Остек поставляет широкий спектр материалов для снятия ФР, состав и свойства которых идеально подходят для применения в микроэлектронике.

Основные характеристики

Сниматель

Точка вспышки, °С

Температура кипения, °С

Чистота

Technic TechniStrip Micro D350 (ДМСО)

89

189

ULSI

MOS

Technic TechniStrip NI555

89

190

MOS

Technic TechniStrip P1316

87

189

<100 ppb

Technic TechniStrip P1331

100,5

189

<500 ppb

N-метилпирролидон

91

202

MOS

от VLSI

AZ100 Remover

72

159-194

от VLSI

ALLRESIST AR 600-71

3

75

от VLSI

ALLRESIST AR 600-76

103

от VLSI

ALLRESIST AR 300-70, 72

98

от VLSI

ALLRESIST AR 300-73

нет

от VLSI

Microresist Technology mr-Rem 660

91-95

202

Dow Microposit 1165

88

200

Условия поставки

Сниматели фоторезистов поставляются под заказ

Упаковка

Сниматели фоторезистов полимеры упакованы в бутылки и банки различного объёма.

Хранение и транспортировка

Срок годности и условия хранения снимателей фоторезистов указаны в техническом описании на данные продукты. Заморозка материалов недопустима.