Регистрация Вспомнить пароль

Полупроводниковые пластины для кристального производства

Материалы

Полупроводниковые пластины для кристального производства

Группа компаний Остек предлагает высококачественные пластины из различных материалов от ведущих мировых производителей (MEMC, Shin-Etsu, AXT, PlanOptik, CMK, Roditi, Freiberger, Dowa, Sumco и т.д.).

Полупроводниковая пластина — это полуфабрикат для дальнейшего производства микросхем и полупроводниковых приборов.

Полупроводниковые пластины являются основой в микроэлектронном производстве и смежных областях основой для конечного продукта (микросхема, МЭМС-сенсор, микрофлюидное устройство и т.п.).От чистоты и бездефектности пластин зависят качество последующих операций и функциональные возможности конечного изделия. 

Стандартные размеры полупроводниковых пластин

Диаметр пластин во многом определяет стоимость конечных изделий.

Диаметр круглой пластины:

  • - 1 дюйм.
  • - 2 дюйма (50,8 мм). Толщина 275 мкм.
  • - 3 дюйма (76,2 мм). Толщина 375 мкм.
  • - 4 дюйма (100 мм). Толщина 525 мкм.
  • - 5 дюймов (127 мм) и 125 мм (4.9 дюйм). Толщина 625 мкм.
  • - 5,9 дюйма (150 мм, часто называются «6 дюймов»). Толщина 675 мкм.
  • - 7,9 дюйма (200 мм, часто называются «8 дюймов»). Толщина 725 мкм.
  • - 11,8 дюйма (300 мм, часто называются «12 дюймов» или «Пластина размером с пиццу»). Толщина 775 мкм.
  • - 18 дюймов (450 мм). Толщина 925 мкм (ожидается).
  •  Диаметр пластин во многом определяет стоимость конечных изделий. Современные массовые производства переходят на диаметр 450 мм для монокристаллического кремния и 200 мм для арсенида галлия, поскольку на таких пластинах можно разместить очень много одинаковых кристаллов. В то же время, предприятия, специализирующиеся на НИОКР, до сих пор активно используют пластины диаметром 100 и 150 мм.

    Технология производства и материалы полупроводниковых пластин

    Большая часть микросхем производится на основе пластин монокристаллического кремния (Si), либо эпитаксиальные пластины кремния (Epi Si). Когда требуется более высокое быстродействие и стойкость к внешним электромагнитным воздействиям, используются пластины кремний-на-изоляторе (КНИ, Silicon on Insulator – SOI). Устройства СВЧ изготавливаются на основе пластин арсенида галлия (GaAs), которые также находят широкое применение в производстве светодиодов наряду с пластинами из других прямозонных полупроводников. Акустические устройства и пьезоэлектрические резонаторы изготавливаются на основе пластин монокристаллического кварца. Аморфный кварц (Fused silica) находит широкое применение как временный носитель в технологиях, использующих экстремально тонкие пластины, а также как основа для различных сенсоров. Пластины из стекла активно используются в производстве МЭМС, МОЭМС и оптоэлектронных устройств.

    Для создания функциональных слоёв на поверхности пластин и в их объёме используются сложнейшие процессы ионной имплантации, диффузии, фотолитографии, напыления, жидкостного и плазменного травления и прочие. Качество и воспроизводимость данных операций зависит от качества используемых пластин. Предельно важно, чтобы полупроводниковые пластины имели правильную геометрию, потому что это особенно критично в процессах фотолитографии. Все механические и химические свойства пластин должны быть сбалансированы таким образом, чтобы пластина могла подвергнуться большому числу технологических процессов, каждый из которых обладает определённой чувствительностью к свойствам используемых пластин.


    Другие материалы нашего каталога: флюсы паяльные.