Dow Corning объявила о сотрудничестве с Advance Enabling Technologies в рамках полупроводникового корпусирования 3D IC

15.08.2013

 Во время проведения выставки SEMICON West 2013 представители Dow Corning сообщили о начале сотрудничества с imec, ведущего исследовательского центра в области наноэлектроники. Данное сотрудничество говорит о расширении возможностей для обеих организаций благодаря объединению их опыта в области разработки и более широкому применению технологий корпусирования ИС 3D, при которой полупроводниковые кристаллы ИС размещаются в вертикальных 3D-архитектурах.

«Это естественный и стратегический шаг для Dow Corning и imec, т.к. обе наши организации считают, что совместные инновации также важны для обеспечения лидирующих позиций в отрасли, как и собственный опыт, — сказал Эндрю Хо (Andrew Ho), директор по глобальной промышленности и инновационным полупроводниковым материалам компании Dow Corning. — Имея доступ к ресурсам мирового класса от imec и благодаря опыту данной организации, мы сможем реализовать дальнейшее улучшение нашего уникального решения в области временного соединения. imec, в свою очередь, сможет усовершенствовать данное решение для использования в рамках улучшенной интеграции корпусирования 3D ИС, разрабатываемого ими в течение многих лет».

Интегрируя несколько кристаллов в один корпус, технология 3D ИС должна уменьшить форм-фактор и потребление энергии, а также увеличить пропускную способность для улучшения коммуникации кристаллов в устройствах следующего поколения.

Одной из ключевых проблем, над решением которой активно работают специалисты imec, является присоединение полупроводниковой пластины со сформированными приборами к пластине-носителю перед утонением пластины и безопасное раскрепление тонкой пластины по завершении работ на обратной стороне подложки. Эту цель Dow Corning преследовала при проектировании решения для временного соединения (Temporary Bonding Solution), обеспечивающего простую обработку с использованием двухслойного концепта, включающего скрепляющий и раскрепляющий слои. Технология Dow Corning также позволяет осуществлять скрепление и раскрепление, основываясь на стандартных методах производства.

Совместно с imec, Dow Corning будет продолжать исследования своего решение по временному соединению, совместимое с CMOS 3D, для полупроводникового корпусирования с созданием переходных отверстий в кремнии (TSV). Сотрудничество будет нацелено на дальнейшее развитие технологии в направлении получения простых, экономичных методов скрепления и раскрепления, совместимых со стандартными производственными процессами.