Компания Dow Corning представляет первую в силовой электронике структуру классификации карбид-кремниевых кристаллических пластин, поднимая планку оценки качества кристаллов

Компания Dow Corning, мировой лидер в технологии кремниевых и широкозонных полупроводников, сегодня установила более высокий отраслевой стандарт для качества карбид-кремниевых (SiC) кристаллов, представив структуру классификации продуктов, которая определяет абсолютно новые допуски на концентрации таких фатальных для электронных устройств дефектов, как микропоры, винтовые дислокации и дислокации несоответствия. Эта инновационная новая структура классификации призвана оптимизировать спектр, производительность и стоимость электронных устройств следующего поколения, изготовленных на первоклассных 100-мм карбид-кремниевых кристаллических пластинах Dow Corning, которые в настоящее время компания предлагает на трех новых уровнях производства - высококачественные подложки под марками Прайм Стандарт, Прайм Селект и Прайм Ультра.

"Как мировой лидер технологий обработки передовых карбид-кремниевых материалов, компания Dow Corning признает, что технология широкозонных полупроводников должна обеспечивать гораздо больше, чем просто высокое качество - она должна обеспечивать исключительную общую стоимость", отметил Грегг Занк, главный директор по технологиям компании Dow Corning. "Впервые в отрасли компания Dow Corning представила структуру классификации карбид-кремниевых кристаллических пластин, что великолепно решает эту задачу. Эта разработка является прямым результатом нашего тесного сотрудничества с ведущими мировыми производителями силовой электроники и призвана помочь им быстро достичь своих актуальных целей разработки новых высококачественных устройств по оптимальной цене".

Источник: http://www.dowcorning.com/content/news/SiC_Wafer_Grades.aspx