Компания RFMD представила первые в мире 150-мм полупроводниковые пластины нитрида галлия на карбиде кремния (GaN на SiC) для производства силовых ВЧ-транзисторов

Согласно данным, полученным от отраслевой аналитической компании Strategy Analytics, рынок микроэлектроники на базе нитрида галлия к 2017 году ожидает более чем трехкратный рост - до объема в 334 млн долл., при этом годовой темп роста составит 28%. Такой подъем рынка вызван ростом как оборонных (радары, радиоэлектронная война, связь), так и коммерческих (управление энергопотреблением, сотовая связь, кабельное телевидение, наземные подвижные системы радиосвязи) применений.

Технология GaN поддерживает широкие диапазоны частот и высокие значения напряжения пробоя при малой занимаемой площади. 150-мм пластина GaN обладает в 2,5 раза большей полезной площадью по сравнению с применяемыми в настоящее время платформами на основе 100-мм пластин, в результате чего можно получить с пластины в 2,5 раза больше силовых ВЧ-устройств. Увеличенная площадь пластины и соответственно меньшая стоимость единицы площади (в долларах на кв. мм) делает возможным создание доступных по цене и обладающих высокими рабочими характеристиками монолитных ИС СВЧ-диапазона для военных и коммерческих применений. Компания RFMD ожидает завершить сертификационные испытания своих 150-мм платформ GaN в 2014 году.

Источник: http://electroiq.com