Усовершенствование материалов улучшают производительность ИС

31.07.2013

 По словам Шуберта Чу (Schubert Chu), руководителя подразделения эпитаксии компании Applied Materials Inc., усовершенствования в полупроводниковых материалах в настоящее время определяют около 90% улучшений производительности интегральных схем в каждой узловой точке развития, что существенно больше тех 15%, которые они обеспечивали в 2000 году.

«По мере выхода каждого нового поколения устройств до конца не решенной проблемой все еще остается необходимость повышения производительности без увеличения потребления энергии», – добавил господин Чу.

Компания Applied Materials, расположенная в Санта-Клара (Santa Clara), штат Калифорния, США, сообщила о новой разработке – изготовлении n-МОП транзисторов в установках эпитаксиального выращивания Applied Centura RP. n-МОП транзистор – это МОП транзистор, в котором активными носителями являются электроны, двигающиеся между областями истока и стока n-типа в канале n-типа, образованном электростатически в кремниевой подложке p-типа.

Эпитаксиальное выращивание за последние 10 лет прошло длинный путь. Десять лет назад компания Applied – лидер в своей области, оценка доли рынка которого составляла 80% – продавала системы эпитаксиального выращивания преимущественно поставщикам пластин. Но сегодня, благодаря способности технологии повысить производительность процессоров мобильных устройств, компания продает намного больше систем, и производства ИС составляют наибольшую часть ее клиентов.

По словам Шуберта Чу, применение напряженных селективных эпитаксиальных пленок с легированием по месту повысило подвижность и снизило электрическое сопротивление в p-МОП транзисторах, начиная с узловой точки 90 нм, при этом повысив скорость кристаллов. Он сказал, что применение селективной эпитаксии в n-МОП транзисторах приводит к подобному улучшению, повышающему производительность кристалла в целом.

«Люди ищут новые области, которые принесут им пользу», – сказал Шуберт Чу, заметив, что новые эпитаксиальные материалы станут ключевым движущим фактором для скорости работы транзисторов при проектных нормах менее 20 нм. 

Цикл семинаров компании Интегра, посвященных материалам для сборки печатных узлов и РЭА
Подробнее