Усовершенствование материалов улучшают производительность ИС
По словам Шуберта Чу (Schubert Chu), руководителя подразделения эпитаксии компании Applied Materials Inc., усовершенствования в полупроводниковых материалах в настоящее время определяют около 90% улучшений производительности интегральных схем в каждой узловой точке развития, что существенно больше тех 15%, которые они обеспечивали в 2000 году.
«По мере выхода каждого нового поколения устройств до конца не решенной проблемой все еще остается необходимость повышения производительности без увеличения потребления энергии», – добавил господин Чу.
Компания Applied Materials, расположенная в Санта-Клара (Santa Clara), штат Калифорния, США, сообщила о новой разработке – изготовлении n-МОП транзисторов в установках эпитаксиального выращивания Applied Centura RP. n-МОП транзистор – это МОП транзистор, в котором активными носителями являются электроны, двигающиеся между областями истока и стока n-типа в канале n-типа, образованном электростатически в кремниевой подложке p-типа.
Эпитаксиальное выращивание за последние 10 лет прошло длинный путь. Десять лет назад компания Applied – лидер в своей области, оценка доли рынка которого составляла 80% – продавала системы эпитаксиального выращивания преимущественно поставщикам пластин. Но сегодня, благодаря способности технологии повысить производительность процессоров мобильных устройств, компания продает намного больше систем, и производства ИС составляют наибольшую часть ее клиентов.
По словам Шуберта Чу, применение напряженных селективных эпитаксиальных пленок с легированием по месту повысило подвижность и снизило электрическое сопротивление в p-МОП транзисторах, начиная с узловой точки 90 нм, при этом повысив скорость кристаллов. Он сказал, что применение селективной эпитаксии в n-МОП транзисторах приводит к подобному улучшению, повышающему производительность кристалла в целом.
«Люди ищут новые области, которые принесут им пользу», – сказал Шуберт Чу, заметив, что новые эпитаксиальные материалы станут ключевым движущим фактором для скорости работы транзисторов при проектных нормах менее 20 нм.