Назад
Всегда рады ответить на все ваши вопросы
materials@ostec-group.ru

Приглашаем вас принять участие в технологическом семинаре «Типовые решения для производства НЧ и СВЧ гибридных интегральных модулей. Решения для полупроводниковых производств» в городе Томск

03.09.2012

Уважаемые разработчики и производители электроники!

25 сентября 2012 г. ЗАО Предприятие Остек приглашает вас принять участие в технологическом семинаре, который пройдет в городе Томске. Тема семинара – решения для производства НЧ и СВЧ гибридных интегральных модулей. Будут подробно рассмотрены решения для микросборки НЧ и СВЧ гибридных интегральных модулей, примерные планировки и реализованные проекты создания микросборочного производства, технология и оборудование LTCC и НTCC для производства подложек и корпусов; вопросы плазмохимических процессов в полупроводниковом производстве, вопросы фотолитографии и операций с тонкими подложками в технологическом процессе, рассмотрены системы жидкостной обработки подложек.

В семинаре участвуют представители зарубежных компаний-партнеров производителей оборудования.

Основные вопросы семинара:

«Решения для производства НЧ и СВЧ гибридных интегральных модулей»:

  • технология: типовые решения;
  • оборудование и его особенности;
  • реализованные проекты.

«Решение для производства подложек и корпусов по LTCC и HTCC технологиям»:

  • преимущества материалов и технологии;
  • области применения;
  • описание технологического процесса и оборудования.

«Технологические материалы для производства НЧ и СВЧ гибридных интегральных модулей»:

  • материалы для монтажа кристаллов. Типы, особенности выбора, основные параметры;
  • материалы для микросварки проволочных выводов;
  • материалы для герметизации кристаллов и защиты гибридных интегральных модулей.

«Плазмохимические процессы в полупроводниковом производстве и микроэлектронике»:

  • описание технологического процесса;
  • оборудование и его особенности.
«Фотолитография и операции с тонкими подложками в технологическом процессе»:
  • современные тенденции в фотолитографии;
  • решения компании EVG для процессов фотолитографии и операций с тонкими подложками.

«Системы жидкостной обработки подложек»:

  • особенности технологических процессов;
  • оборудование компании Mabat Chemical Systems Ltd., его особенности.

Участие в семинаре бесплатное!

Место и время проведения:

Особая экономическая зона «Томск». Адрес: г. Томск, Академический проспект, д. 8/8.

25 сентября 2012 г., с 9:00 до 17:00 часов.

Вы можете зарегистрироваться на участие в семинаре любым из способов:

Будем рады видеть вас в числе участников семинара!

ПРОГРАММА СЕМИНАРА

«Типовые решения для производства НЧ и СВЧ гибридных интегральных модулей.

Решения для полупроводниковых производств»

25 сентября 2012, г. Томск

Время

Мин.

Наименование доклада

Докладчики

09:00 - 09:30

 

Регистрация участников. Вступительное слово

09:30 – 09:45

 

О компании ОАО ОЭЗ «Томск»

Каминский К. В.

ОАО ОЭЗ «Томск»

09:45 – 10:00

 

О компании ЗАО Предприятие Остек. Комплексные подходы в организации микроэлектронных производств

Васильев А. В.

10:00 – 10:40

 

Типовые решения для производства НЧ и СВЧ гибридных интегральных модулей

Фадеев М. П.

10:40 – 11:00

20

Кофе-брейк

11:00 – 11:30

 

Комплексное решение для производства подложек и корпусов по LTCC и HTCC технологиям

Чигиринский С.А.

11:30 – 12:30

 

PVD, ICP/RIE, PECVD процессы в полупроводниковом производстве и микроэлектронике. Оборудование и технологические решения ЗАО «НТО» (SemiTEq)

Тихонов С. С.

ЗАО «НТО»

12:30 – 13:30

60

Обед

13:30 – 14:30

 

Решения компании EVG для процессов фотолитографии в полупроводниковом производстве и изготовлении тонкопленочных плат. Оборудование для операций с тонкими подложками

Gerald Silberer,

EVG

14:30 – 15:30

 

Системы жидкостной обработки от компании Mabat

Yuri Yoffe,

Mabat Chemical Systems Ltd.

15:3015:50

20

Кофе-брейк

15:50 – 16:20

 

Отдел Сервиса

Кононыхин Д. А.

16:20 – 16:50

 

Технологические материалы для производства НЧ и СВЧ гибридных интегральных модулей

Кондратюк Р. И.

16:50

 

Ответы на вопросы