Регистрация Вспомнить пароль


Новости индустрии

16 Октября 2018

Компания «ZESTRON» расширила количество своих аналитических услуг в Аналитическом центре, расположенном в г. Ингольштадт, Германия, объединив процессы изъятия и анализа загрязнений электронных узлов после отмывки или эксплуатации.

6 Сентября 2018

Надежность печатных узлов с нанесенным влагозащитным покрытием в значительной степени зависит от отсутствия непокрытых участков. В частности, незащищенные кромки соединительных контактов и поры в покрытии могут стать причиной выхода из строя печатного узла в процессе эксплуатации.

31 Октября 2017

Автомобильная электроника играет всё более важную роль в обеспечении безопасности, надёжности, производительности и комфорта автомобилей. Однако высокие температуры, являющиеся результатом работы устройств, могут привести к снижению работоспособности и надёжности электронных модулей с течением времени.

16 Октября 2017

Во многих отраслях промышленности наблюдается рост потребности в автоматизированных решениях для склеивания и герметизации. Компания DOPAG предлагает готовые решения для интегрированных и автоматизированных систем.

16 Октября 2017

Компания Indium Corporation запустила производство новой паяльной пасты Indium10.1HF, разработанной специально для обеспечения сверхнизкого содержания пустот в компонентах с нижними контактами (BTC), повышения надежности и устранения дефекта «голова-на-подушке».

14 Сентября 2017

Изделия из жидкой силиконовой резины (ЖСР) используются в различных отраслях: от автопрома до производства бытовых приборов и медтехники. Самая высокая степень безопасности и максимальная надежность — ключевые факторы не только для использования силиконовых изделий, но и для их производства. Этот аспект стал основополагающим для DOPAG при разработке новой дозирующей системы Silcomix.

14 Сентября 2017

Компания Plan Optik AG, ведущий производитель стеклянных и кварцевых полупроводниковых пластин, сообщает о доступности подложек и многоразовых носителей для обработки тонких полупроводниковых пластин с использованием арсенида галлия (GaAs), нитрида галлия (GaN), карбида кремния (SiC) и фосфата индия (InP).