Ostec
Поиск по сайту:
Регистрация
Вспомнить пароль
О нас
Материалы
Индустрии
Техническая библиотека
Контакты
Вакансии
Рус
Eng
Технические описания (TDS)
Наши публикации
Инженерные пособия
Технологии
Глоссарий
Полезные ссылки
Вопрос-Ответ
Мои запросы
Задать вопрос специалисту
На главную
Техническая библиотека
Глоссарий
2,5d
2,5D-корпусирование
3d
3D-корпусирование
T
TSV (trough silicon via)
U
UBM
А
Аддитивное структурирование
Активатор адгезии (праймер)
Актиничное излучение
Андерфилл (underfill)
Антиотражающее покрытие
Аспектное отношение
Б
Безмасочная литография
В
Взрывная литография
Вязкость
Г
Геттер
Глубина фокуса
ГМДС
ГУФ-стабилизация
Д
Дегидратация поверхности
Доза просветления
Доза размера
З
Задубливание
И
Иммерсионная литография
Импринтная литография
Ингибитор растворения
Источник фотоактивной кислоты
К
Кислотно-катализированный резист
Контактная фотолитография
Контрастность резиста
Корпусирование на уровне пластины
Коэффициенты Коши
Краевая шероховатость линии
Краевой валик
Крезол-новолачный фоторезист (DNQ – diazonaphthoquinone)
Кривая поглощения
Л
Литография
Литография в сверхглубоком ультрафиолете (EUV)
М
Маска
Многослойный резист (Multy-Layer Resist – MLR)
Н
Негативный фоторезист
О
Обращаемый фоторезист
Обращение изображения
Оптическая плотность
П
Пайка
Параметры Дилла
Пелликл
Позитивный резист
Правила проектирования
Прайминг в газовой фазе (vapor prime)
Припой
Припой трубчатый
Прямое экспонирование
Р
Разрешение
Рентгеновская литография
С
Совмещение
Сплошное экспонирование (flood exposure)
Степпер
Стимулятор растворения
Стоячие волны
Сурфактант
Т
Температурная обработка после экспонирования (Post Exposure Bake — PEB)
Термическая литография
ТМАГ
Топологическая норма
Ф
Флюс
Фотолитография на зазоре (Proximity printing)
Фотошаблон
Х
Химически усиленный резист
Ч
Чувствительность
Э
Экспонирование