Глоссарий

2,5D-корпусирование

3D-корпусирование

TSV (trough silicon via)

UBM

Аддитивное структурирование Активатор адгезии (праймер) Актиничное излучение Андерфилл (underfill) Антиотражающее покрытие Аспектное отношение

Безмасочная литография

Взрывная литография Вязкость

Геттер Глубина фокуса ГМДС ГУФ-стабилизация

Дегидратация поверхности Доза просветления Доза размера

Задубливание

Иммерсионная литография Импринтная литография Ингибитор растворения Источник фотоактивной кислоты

Кислотно-катализированный резист Контактная фотолитография Контрастность резиста Корпусирование на уровне пластины Коэффициенты Коши Краевая шероховатость линии Краевой валик Крезол-новолачный фоторезист (DNQ – diazonaphthoquinone) Кривая поглощения

Литография Литография в сверхглубоком ультрафиолете (EUV)

Маска Многослойный резист (Multy-Layer Resist – MLR)

Негативный фоторезист

Обращаемый фоторезист Обращение изображения Оптическая плотность

Пайка Параметры Дилла Пелликл Позитивный резист Правила проектирования Прайминг в газовой фазе (vapor prime) Припой Припой трубчатый Прямое экспонирование

Разрешение Рентгеновская литография

Совмещение Сплошное экспонирование (flood exposure) Степпер Стимулятор растворения Стоячие волны Сурфактант

Температурная обработка после экспонирования (Post Exposure Bake — PEB) Термическая литография ТМАГ Топологическая норма

Флюс Фотолитография на зазоре (Proximity printing) Фотошаблон

Химически усиленный резист

Чувствительность

Экспонирование