В статье приведён обзор технологий и материалов, применяемых для формирования столбиковых выводов на полупроводниковых пластинах при производстве микросхем.
В статье представлен обзор материалов и технологии для создания микросхем, предназначенных для длительной эксплуатации при температурах до +300 °C.
Наноимпринтная литография (НИЛ) — один из наиболее перспективных альтернативных методов формирования наноструктур. В данной статье мы рассмотрим основные материалы и технологии, используемые при таком процессе наноструктурирования, и представим преимущества этого вида литографии относительно традиционных способов.
В ряде случаев перед технологами встаёт задача проведения электронной литографии на диэлектрических подложках. Это может быть экспонирование железоокисных фотошаблонов, создание нано- и микроструктур на пластинах кварца, сапфира или стекла (например, штампов для наноимпринтной литографии)1. При экспонировании таких подложек электронным лучом диэлектрик накапливает заряд, который отклоняет летящие к подложке электроны и делает невозможным дальнейшее экспонирование резиста (пример негативного воздействия показан на РИС.1²).
При создании передовых интегральных микросхем, при научно-исследовательских разработках в области микро- и наноэлектроники основную роль играет электронная литография. Настоящая статья посвящена обзору современных электронных резистов, позволяющих достигнуть минимальных топологических норм при формировании наноразмерных структур; представлен обзор основных доступных на рынке резистов, а также проведён сравнительный анализ их характеристик с точки зрения чувствительности, разрешающей способности, контрастности и технологичности применения.
В предыдущей статье, посвящённой данной теме (журнал «Вектор высоких технологий» № 3(24) май 2016 г.), были кратко изложены методы соединения пластин и сохранения вакуума в герметичном пространстве между ними. Данная статья продолжает обзор технологических решений для корпусирования на уровне пластины, описывая применение сварки через стеклокерамический припой. Рассматриваются вопросы выбора материала, режимов обработки пластин, а также эксплуатационных характеристик устройств, полученных при использовании данной технологии.
Большая номенклатура МЭМС, МОЭМС и других приборов для своей работы требуют вакуума. Использование для их герметизации дискретных корпусов представляется довольно дорогим и сложным решением, поэтому перспективным является применение корпусирования на уровне пластины. В данной статье приведен краткий обзор методов, с помощью которых становится возможным реализовать эту технологию. Главным образом, статья посвящена вопросу сохранения требуемого уровня вакуума в течение длительного времени, что достигается оптимальным выбором материалов и внедрением геттеров в герметичный объём. Также в ней описаны основные технологические аспекты применения геттеров, их свойства и характеристики.
В статье представлен обзор двух методов сварки пластин для микроэлектроники без использования промежуточного материала. Каждый метод рассматривается с точки зрения технологичности, области применения и возможности расширения на смежные отрасли, также обозначены основные требования к материалам, используемым в данном процессе.
Сплав 80Au20Sn более 30 лет применяется в сборке специализированных изделий микроэлектроники и многократно доказал свою эффективность. Новые методы нанесения припоя позволяют расширить область применения припоя 80Au20Sn, однако для сохранения высокого уровня надёжности необходимо учитывать особенности сплава, соединяемых компонентов и процесса пайки. В данной статье рассмотрены основные технические и технологические факторы, влияющие на качество паяного соединения. Также приведены примеры использования припоя 80Au20Snв сборке изделий микроэлектроники.
